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商品の詳細:
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| 適用: | 高い発電装置 光電子工学装置GaNのエピタクシー装置 発光ダイオード | 直径: | Øの1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6" |
|---|---|---|---|
| 厚さ: | 330 um | 350 um | 等級: | 生産の等級/研究の等級 |
| ハイライト: | 光電子装置 SiCウエファー,光発光ダイオード用のSiCウェーファー |
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SICのウエファー
半導体ウエハー、株式会社（SWI）は電子および光電子工学の企業に良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）を提供する。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径で2インチNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
SiCのウエファーの塗布
| 高周波装置 | 高温装置 |
| 高い発電装置 | 光電子工学装置 |
| GaNのエピタクシー装置 | 発光ダイオード |
SiCのウエファーの特性
| Polytype | 6H SiC | 4H SiC |
| 水晶積み重ね順序 | ABCABC | ABCB |
| 格子変数 | a=3.073A、c=15.117A | a=3.076A、c=10.053A |
| バンド ギャップ | 3.02 eV | 3.27 eV |
| 比誘電率 | 9.66 | 9.6 |
| 屈折の索引 | n0 =2.707、ne =2.755 | n0 =2.719 ne =2.777 |
製品仕様書
| Polytype | 4H / 6H |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
| 厚さ | 330 um | 350 um |
| オリエンテーション | を離れた軸線 <0001> /4° <0001> を離れた軸線 |
| 伝導性 | N - タイプ/Semi-insulating |
| 添加物 | N2 （窒素の）/V （バナジウム） |
| 抵抗（4H-N） | 0.015 | 0.03オームcm |
| 抵抗（6H-N） | 0.02 | 0.1オームcm |
| 抵抗（SI） | > 1E5オームcm |
| 表面 | CMPは磨いた |
| TTV | <> |
| 弓/ゆがみ | <> |
| 等級 | 生産の等級/研究の等級 |
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196
