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                        商品の詳細:
                                                     
                
 
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| 最高温度:: | 1450℃まで | 適用:: | 電気炉および電気加熱装置 | 
|---|---|---|---|
| プロダクト:: | SiCの発熱体 | 形:: | ED/U/W/SC/SCR/DB/G/H/DM | 
| 動力源:: | 電気 | 純度:: | 99.9%高い純度 | 
| ハイライト: | 1650度の炭化ケイ素のヒート ロッド,陶磁器の発射の炭化ケイ素のヒート ロッド,1650度sicのヒーターの要素 | 
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炭化ケイ素の抵抗ヒーターの陶磁器の発砲のための1650 ℃、亜鉄酸塩、点火プラグ、スペース シャトルのタイル、グラファイトの形の
 
産業ZGの暖房は世界中で企業および適用で使用される炭化ケイ素の発熱体およびモリブデンのDisilicideの発熱体のためのあなたの源である。新しいシステムを必要とするかどうか、あなたの装置および操作のための既存の組み立てまたは単に取り替えの要素を再装備する設計している、助けを私達は地球を渡る速く、便利なサービスおよび配達選択で覆った持っている。
炭化ケイ素の発熱体
1650ºCまでの要素の温度のため
Starbar RRのRA、U、W、SE、SER、SEU、TSR、TSE、
あなたの適用のために顧客用
タイプそして適用の炭化ケイ素の発熱体
1. SW (標準)
SWの炭化ケイ素は空気および管理された大気両方の1400°Cまで600°Cから温度で及ぶ適用で使用される。使用された大気のタイプが最高の推薦された要素の温度を定めるが。この種類の炭化ケイ素の要素は縦または水平に取付けることができる。
2. U-TYPE
Uの形の炭化ケイ素は同じ直径が付いている2炭化ケイ素の棒から成っているある。各棒は同一の抵抗の熱い地帯そして冷たい端を両方備えている。2本の棒は低い抵抗SiCによって接続される。またコネクターは異なった条件に従ってホールダーとして使用できる。
3. W-TYPE
3-phase要素は2つのタイプで利用できる:SGC (ダンベル)、SGD (標準)。
これらの要素は高温で炭化ケイ素の再結晶化によって形作られる自己担保付きの炭化ケイ素である。それは炭化ケイ素の横木によって1つの端に接続される3本の高純度の炭化ケイ素の棒から成っている。SGCの要素は標準的なフロート ガラスの縦の取付けのために横の取付けのための浸り、SGDの要素設計されている。それらは三相電源で直接接続することができ、炉の屋根からターミナルを送り出すことを割り当てるone-sideターミナル タイプである。
4. 単一の螺線形の炭化ケイ素および二重螺線形の炭化ケイ素:
それらは炭化ケイ素の粉からなされ、2つの形がある:単一および二重sprial炭化ケイ素の発熱体。それらはいろいろな種類の炉および炉で広く利用されている。
SICの発熱体の物理的性質
| 
			 比重  | 
			
			 2.6~2.8g/cmの³  | 
			
			 くねりの強さ  | 
			
			 >300kg  | 
		
| 
			 硬度  | 
			
			 >9MOH'S  | 
			
			 引張強さ  | 
			
			 >150kg/cmの³  | 
		
| 
			 気孔率率  | 
			
			 <30>  | 
			
			 光輝  | 
			
			 0.85  | 
		
異なった実用温度の要素の表面への推薦された表面の負荷そして影響
| 
			 大気  | 
			
			 炉の温度(°C)  | 
			
			 表面の負荷(W/cm2)  | 
			
			 棒の影響  | 
		
| 
			 アンモナル  | 
			
			 1290  | 
			
			 3.8  | 
			
			 SiCの行為はメタンを作り出し、SiO2の保護フィルムを破壊する  | 
		
| 
			 二酸化炭素  | 
			
			 1450  | 
			
			 3.1  | 
			
			 SiCを腐食しなさい  | 
		
| 
			 一酸化炭素  | 
			
			 1370  | 
			
			 3.8  | 
			
			 カーボン粉を吸収し、SiO2の保護フィルムに影響を及ぼしなさい  | 
		
| 
			 ハロゲン  | 
			
			 704  | 
			
			 3.8  | 
			
			 SiCを腐食し、SiO2の保護フィルムを破壊しなさい  | 
		
| 
			 水素  | 
			
			 1290  | 
			
			 3.1  | 
			
			 SiCの行為はメタンを作り出し、SiO2の保護フィルムを破壊する  | 
		
| 
			 窒素  | 
			
			 1370  | 
			
			 3.1  | 
			
			 SiCの行為は窒化珪素の絶縁層を作り出す  | 
		
| 
			 ナトリウム  | 
			
			 1310  | 
			
			 3.8  | 
			
			 SiCを腐食しなさい  | 
		
| 
			 二酸化ケイ素  | 
			
			 1310  | 
			
			 3.8  | 
			
			 SiCを腐食しなさい  | 
		
| 
			 酸素  | 
			
			 1310  | 
			
			 3.8  | 
			
			 SiCは酸化した  | 
		
| 
			 水蒸気  | 
			
			 1090-1370  | 
			
			 3.1-3.6  | 
			
			 SiCの行為はケイ素の水和物を作り出す  | 
		
| 
			 炭化水素  | 
			
			 1370  | 
			
			 3.1  | 
			
			 カーボン粉を起因した熱い汚染で吸収しなさい  | 
		
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使用し、取付けることのための通知:
1. ヒーターは貯えるか、または取付けることの間に湿気からヒーターの性能を保障するために保護されるべきである。
2. それぞれおよびグループの十分配られたlodの確実である順序ではヒーターは集まっている前に分けられるべきである。各自の抵抗の許容は10%によって互いを超過できない。
3. ヒーターは損傷を避けるために集まり、維持するとき注意するために堅く、壊れやすい。
4. 電気炉を始めに作動させた場合、電圧はゆっくり高められるべきで、十分にすぐに荷を積むことができない。さもなければより大きい流れはヒーターの損傷で起因する。
5. ヒーターがおよび変わる必要性傷つくとき新しいものの抵抗は増加する抵抗に続くべきである。多数が傷つくかまたは抵抗があまりを増加したら、ヒーターは変わるべきである。
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196