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UW I型高温シリコンカービッド熱装置 炉用

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UW I型高温シリコンカービッド熱装置 炉用

UW I型高温シリコンカービッド熱装置 炉用
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商品の詳細:
起源の場所: 中国
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最小注文数量: 1/PCS
価格: 5/usd/pcs
パッケージの詳細: 全体的な船積みのための強い木箱
受渡し時間: 3 営業日
支払条件: L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
供給の能力: 1000/pcs/Month

UW I型高温シリコンカービッド熱装置 炉用

説明
ハイライト:

炉のシリコンカービッド加熱要素

,

高温シリコンカービッド熱装置

,

I型シリコンカービッド熱装置

製品説明
UW I型高温シリコンカービッド熱装置 炉用 0
シリコンカルビッド SiC熱装置 (ヒーター)
1) 材料: グリーンシリコン粉末の質が良い
2) 製品: 非金属高温電気熱装置の一種.
3) 製造プロセス: 薄物として作られ,高温でシリシ化され,再結晶化されます.
4) 用途: 様々な高温実験室炉や他の電気暖房で広く使用されています
磁石,陶器,電力の金属工学,ガラス,金属工学など
5) 特徴: 高温,抗酸化,抗腐食,温度が早く上昇し,低温
熱膨張係数などです
6) ヒーターの仕様と抵抗範囲
元素の物理特性:
固有重量
曲がり強度
硬さ
張力強度
孔隙率
放射性
2.6~28g/cm3
>300kg
>9MOHの
>150kg/cm3
<30%
0.85
線形膨張係数,熱伝導性,特異熱は温度変化とともに変化し,関係データとしては以下の通りです.
温度 (c)
線形膨張係数 (10m/c)
熱伝導性 (kcal/Mhrc)
特定熱量 (cal/g'c)
o
/
/
0.148
300
3.8
/
/
400
/
/
0.255
600
4.3
14 - 18
/
800
/
/
0.294
900
4.5
/
/
1100
/
12から16
/
1200
4.8
/
0.325
1300
/
10〜14
/
1500
5.2
/
/

シリコンカービッドの加熱要素

シリコンカービード元素の使用 建築,陶器の焼,浮遊ガラス生産,非鉄金属の溶融,シンタリング,溶融,1625°Cまでの動作温度を必要とする他の用途シリコンカービッドから構成される加熱要素は,通常,単足または複数の脚を持つ棒,管,棒の形で,金属化されている.他の形は,ダンベル,ダブルスピラル,シングルスピラル標準的な暖房要素のサイズは,直径0.5〜3インチ,長さ1〜10フィートの範囲です.カスタム形状とサイズは,要求に応じて利用できます.シリコンカービッドの加熱エレメントは,一般的にほとんどのボリュームですぐに入手できます.アメリカン・エレメントは,ブロック,泡,蜂蜜,粉末 (マイクロおよびサブマイクロ粉末を含む),マイクロウイスカー,ナノ粒子,スポンジなど,シリコンカービッドの他の形態も提供しています.噴射対象物追加の技術,研究,安全性 (MSDS) の情報があります.
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仕様
大気
オーブンの温度 ((°C)
表面負荷 (W/cm)
元素に作用する
ソイヴのやり方
アモニア
1290
3.8
SiC に作用し,SiO2 の保護フィルムを減少させる.
露点では活性
COr
1450
3.1
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
18%CO
1500
4
行動なし
/
20%CO
1370
3.8
SiO2 保護フィルムに作用するC粒を吸収する
/
ハロゲン
704
3.8
SiC を攻撃し,SiOProtective フィルムを減少させる
クォーツチューブによる保護
炭水化物
1310
3.1
吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
十分な空気で満たす
水素
1290
3.1
SiCに作用してSiO2を減少させる 保護フィルム
露点では活性
メタン
1370
3.1
吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす
/
N
1370
3.1
SiCと作用し,SiN隔熱層を形成する
/
ほら
1310
3.8
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
SO2
1310
3.8
攻撃 SiC
クォーツチューブによる保護
バキューム
1204
3.8
/
/
酸素
1310
3.8
SiCは酸化している
/
含有量 含有量
1090年〜1370年
31-3 わかった6
SiCに作用してシリコンヒド酸を形成する
/
梱包と配送
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コンタクトパーソン: Daniel

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ファックス: 86-0371-6572-0196

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