窒化アルミニウムセラミックス部品

窒化アルミニウムセラミックス部品

窒化アルミニウム (AIN) セラミックは、電気絶縁特性と優れた熱伝導率により、放熱が必要な用途に最適です。また、熱膨張率がシリコンに近く、耐プラズマ性に優れているため、半導体処理装置の部品などにも使用されています。

窒化アルミニウム (AIN) セラミックは、以下に示す優れた特性を示します。

• 良好な機械的特性、
• Al2O3やBeOセラミックスよりも高い曲げ強度、
• 高温耐性と耐食性。
• 高い熱伝導性と優れた電気絶縁性を兼ね備えています。
• 大量の溶融塩にさらされた場合でも優れた安定性を発揮します。
• 1500℃以上の熱安定性。
• 高温範囲にわたって良好な機械的特性を示します。
• 熱膨張が小さく、熱衝撃に強い。
• 特殊な光学的および音響的特性。

加工の形成:

• セラミック射出成形
• 低圧ダイカスト
• 冷間静水圧プレス
• ドライプレス
• テープキャスティング
• 精密加工

窒化アルミニウムセラミックス製品：

• 高出力システム用の AlN セラミックラジエーター
• AlNるつぼ、Al蒸着カップ等の高温腐食に強い部品です。
• 直接接合銅 (DBC) 基板
• AlNセラミックロッド
• ALN セラミックワッフル
• ALNセラミック基板
• AlNセラミックヒーター
• カスタムフォーム

窒化アルミニウムセラミック部品の用途:

• 半導体技術用部品
• ICハウジング
• サーマルモジュール基板
• ハイパワートランジスタモジュール基板
• 高周波デバイス基板
• サイリスタモジュール用発熱絶縁板
• 半導体レーザー、発光ダイオード（LED）用固定基板
• ハイブリッド一体型モジュール、点火装置モジュール
• 構造用セラミックスの焼結に使用されます。
• 金属や電子タバコの溶解用AlNるつぼ
• 発光素材に適用されます。
• 基板材料に適用

窒化アルミニウム (AlN) は最大バンドギャップが 6.2 eV であり、間接バンドギャップ半導体よりも高い光電変換効率が得られます。 AlN は重要な青色および紫外発光材料として、UV/深 UV LED、紫外レーザー ダイオード、および紫外検出器に使用されます。さらに、AlN は、GaN や InN などの III 族窒化物化合物と連続固溶体を形成することができ、その三次合金または二次合金は、可視域から深紫外域まで連続的に調整可能なバンドギャップを提供できるため、重要な高効率発光材料となっています。

AlN 結晶は、GaN、AlGaN、および AlN エピタキシャル材料にとって理想的な基板です。サファイアまたは SiC 基板と比較して、AlN は GaN との優れた熱的整合性と化学的適合性を示し、さらに基板とエピタキシャル層間の電圧が低くなります。したがって、GaN エピタキシャル基板としての AlN 結晶は、デバイスの欠陥密度を大幅に低減し、デバイスの性能を向上させることができ、高温、高周​​波、高出力の電子デバイスへの応用が期待されています。

さらに、高Al成分としてAlN結晶を含むAlGaNエピタキシャル材料基板は、窒化物エピタキシャル層の欠陥密度を効果的に低減し、窒化物半導体デバイスの性能と寿命を大幅に向上させることができる。

ALNセラミック基板の共通仕様：

長さと幅: 25.4 mm; 50.8mm; 63.5mm; 76.2mm; 101.6mm; 114.3mm; 127mm; 152.4mm。

厚さ: 0.25 mm; 0.5mm; 0.63mm; 1mm; 1.5mm; 2mm。