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商品の詳細:
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| 材料: | 炭化ケイ素 | 色: | 黒い |
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| サイズ: | カスタマイズされる | 特徴: | 血しょう衝撃のよい温度の均等性に対して抵抗力がある優秀な熱伝導性 |
| ハイライト: | 3.2g/Cm3密度の炭化ケイ素の版,99.5% SiCの炭化ケイ素の製陶術,88% SiCの皿 |
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炭化ケイ素（SiC）の皿か版
炭化ケイ素（SiC）の皿か版はLEDの企業でプロセスをエッチングするICPのためにウエファーのホールダーとして使用した。
炭化ケイ素（SiC）は持っている優秀な熱伝導性、低い熱拡張の耐食性を、であり。炭化ケイ素はシーリング リングおよび軸受けのための優秀な材料である。炭化ケイ素の皿に優秀な耐食性、大きい耐久性、高温の下の大きい機械強さがある。私達は炭化ケイ素の皿、また他のSiCプロダクトの多くのサイズを供給する。
炭化ケイ素の皿の特性
| 混合の方式 | SiC |
| 分子量 | 40.1 |
| 出現 | 黒い |
| 融点 | 2,730° C （F） 4,946° （分解する） |
| 密度 | 3.0から3.2 g/cm3 |
| 電気抵抗 | 1から4 10x Ω-m |
| ポアソンの比率 | 0.15から0.21 |
| 比熱 | 670から1180 J/kg-K |
炭化ケイ素の皿の指定
| タイプ | 再結晶させたSiC | 焼結させたSiC | 反作用はSiCを結んだ |
| 炭化ケイ素の純度 | 99.5% | 98% | >88% |
| 最高。働く臨時雇用者。（『C） | 1650 | 1550 | 1300 |
| 見掛け密度（g/cm3） | 2.7 | 3.1 | >3 |
| 出現の気孔率 | <15> | 2.5 | 0.1 |
| Flexural強さ（MPa） | 110 | 400 | 380 |
| 耐圧強度（MPa） | >300 | 2200 | 2100 |
| 熱拡張（C） 10^-6/『 | 4.6 （1200の『C） | 4.0 （<500> | 4.4 （<500> |
| 熱伝導性（W/m.K） | 35~36 | 110 | 65 |
| 主要な特徴 | 高温。抗力が高い。 高い純度 |
ひびの靭性 | 化学抵抗 |
特徴の条件:
炭化ケイ素の皿の塗布
-炭化ケイ素は半導体およびコーティングのような区域で加えることができる。
-私達の炭化ケイ素の皿はLEDの企業で広く利用されている。
炭化ケイ素のパッキング
私達の炭化ケイ素の皿は注意深く損傷を貯蔵および交通機関の間に最小にし、元の状態の私達のプロダクトの質を維持するために扱われる。
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196
