|
商品の詳細:
|
| 適用: | 集積回路、探知器/センサー装置、MEMSの製作、光電子工学の部品および太陽電池 | 直径: | Øの2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12" |
|---|---|---|---|
| 酸化物の厚さ: | 100 A | 6 um | 等級: | 主/テスト/模造の等級 |
| ハイライト: | より高い均等性の熱酸化物のウエファー,絶縁体として熱酸化物のウエファー,2"熱酸化物のシリコンの薄片 |
||
熱酸化物のウエファー、より高い均等性およびより高い絶縁耐力、絶縁体として優秀な誘電性の層
熱酸化物または二酸化ケイ素の層はオキシダントの前で高温の裸のケイ素の表面で、プロセス呼ばれる熱酸化と形作られる。熱酸化物は900°C | 「ぬれた」か「乾燥した」成長方法からの温度較差の横の環状炉で普通、を使用して1200°C、育つ。熱酸化物は一種の「育てられた」酸化物の層である、CVDと酸化物の層を沈殿させた比較された、より高い均等性があり、より高い絶縁耐力、絶縁体として優秀な誘電性の層である。ほとんどのケイ素では装置を基づかせていた、熱酸化物の層は障壁の添加と表面の誘電体として機能するためにケイ素の表面を落着かせるように重要な役割を担う。私達は12"に2"からの直径の熱酸化物のウエファーを提供する、私達は高いあなたの特定の条件を満たすために均等性の熱酸化物の層を育てるための基質として主な等級およびディフェクト フリーのシリコンの薄片を常に選ぶ。価格及び受渡し時間のさらに詳しい詳細については私達に連絡しなさい。
熱酸化物の機能
通常熱酸化プロセスの後で、シリコンの薄片の前側にそして裏側に両方酸化物の層がある。1つの側面の酸化物の層だけ要求されれば、私達はあなたのための酸化物および提供1の側面の熱酸化物のウエファーを取除いてもいい。
| 酸化物の厚さの範囲 | 酸化技術 | ウエファーの中では 均等性 |
ウエファーへのウエファー 均等性 |
処理される表面 |
|---|---|---|---|---|
| 100 Å | 500Å | 乾燥した酸化物 | +/- 5% | +/- 10% | 両側 |
| 600 Å | 1000Å | 乾燥した酸化物 | +/- 5% | +/- 10% | 両側 |
| 100 nm | 300 nm | ぬれた酸化物 | +/- 5% | +/- 10% | 両側 |
| 400 nm | 1000 nm | ぬれた酸化物 | +/- 3% | +/- 5% | 両側 |
| 1 um | 2 um | ぬれた酸化物 | +/- 3% | +/- 5% | 両側 |
| 3 um | 4 um | ぬれた酸化物 | +/- 3% | +/- 5% | 両側 |
| 5 um | 6 um | ぬれた酸化物 | +/- 3% | +/- 5% | 両側 |
熱酸化物のウエファーの塗布
| 100 A | トンネルを掘るゲート |
| 150 A | 500 A | ゲートの酸化物 |
| 200 A | 500 A | 気違いは酸化物にパッドを入れる |
| 2000年のA | 5000 A | 覆う酸化物 |
| 3000 A | 10000 A | 分野の酸化物 |
製品仕様書
| Qxidationの技術 | ぬれた酸化か乾燥した酸化 |
|---|---|
| 直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"/Ø 12" |
| 酸化物の厚さ | 100 A | 6 um |
| 許容 | +/- 5% |
| 表面 | 単一の側面か二重側面の酸化物の層 |
| 炉 | 横の環状炉 |
| Gase | 水素および酸素のガス |
| 温度 | 900 Cの° - 1200のCの° |
| R.i. | 1.456 |
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196
