|
商品の詳細:
|
| 適用: | 集積回路、探知器/センサー装置、MEMSの製作、光電子工学の部品および太陽電池 | 直径: | Øの4"/Ø 6"/Ø 8" |
|---|---|---|---|
| 装置厚さ: | 2 um | 300 um | コーティング: | 酸化物および窒化物はSOIのウエファーの両側で供給することができる |
| ハイライト: | SOIのウエファーの技術的な陶磁器の部品,2um SOIのウエファー,300um SOIのウエファー |
||
SOIのウエファー（シリコン・オン・インシュレータ）
私達はMEMS、力装置、圧力センサーおよびCMOSの集積回路のを含むいろいろな適用に良質SOIのウエファー（シリコン・オン・インシュレータ）を製作提供する。SOIのウエファーは高速および低い電力の消費装置に潜在的解決能力を提供し、高圧およびRFの部品のための新しい解決として広く認められた。SOIのウエファーは上の装置層（活動的な層）、中間の埋められた酸化物の層（絶縁SiO2層）、および底のハンドルのウエファー（バルク ケイ素）を含むサンドイッチ構造である。SOIのウエファーはSIMOXおよびシンナーおよび精密な装置層を達成し、厚さの均等性および低い欠陥密度の条件を保障するのにウエファーの接着の技術の使用によって作り出される。私達は適用範囲が広い厚さおよび広い抵抗の範囲をあなたの独特なSOIの条件を満たすために直径4"および8"のSOIのウエファーに与えてもいい。それ以上のSOIの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
SOIのウエファーの塗布
| 高速IC | 高温IC |
| ローパワーIC | 低電圧IC |
| マイクロウェーブ部品 | 力装置 |
| MEMS | 半導体 |
製品仕様書
| 方法 | 融合の結合 |
|---|---|
| 直径 | Øの4"/Ø 6"/Ø 8" |
| 装置厚さ | 2 um | 300 um |
| 許容 | +/- 0.5 um | 2 um |
| オリエンテーション | <100> / <111> / <110> または他 |
| 伝導性 | P - タイプ/N -タイプ/真性 |
| 添加物 | ほう素/リン/アンチモン/ヒ素 |
| 抵抗 | 0.001 | 100000オームcm |
| 酸化物の厚さ | 500A | 4 um |
| 許容 | +/- 5% |
| ハンドルのウエファー | >= 300 um |
| 表面 | 二重側面は磨いた |
| コーティング | 酸化物および窒化物はSOIのウエファーの両側で供給することができる |
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196
