商品の詳細:
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適用: | 半導体デバイス、マイクロエレクトロニクス、センサー、太陽電池、IRの光学。 | 直径: | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
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厚さ: | 500 um | 625 um | 等級: | 電子工学の等級 |
ハイライト: | 4インチGEのウエファー,2インチGEのウエファー,2インチのゲルマニウムのウエファー |
2インチからの4インチへの直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業へのGEのウエファー
私達は単結晶GEのウエファー(ゲルマニウムのウエファー)の世界的な製造者であり、単結晶GEのインゴット、2インチ提供することで強い利点がからの4インチに直径の範囲のマイクロエレクトロニクスおよび光電子工学の企業へGEのウエファーをある。GEのウエファーは優秀な結晶学の特性および独特な電気特性のGEのウエファーに元素であり、普及した半導体材料は、よるセンサー、太陽電池および赤外線光学適用でwidly使用される。私達はあなたの独特なゲルマニウムの必要性を満たすために低い転位およびepi準備ができたGEのウエファーを提供してもいい。GEのウエファーは半によって作り出される。、高品質管理システムとクリーン ルームの環境の真空密封の標準的なカセットで標準的な、詰められて、私達はきれいな、良質GEのウエファー プロダクトの提供に捧げられる。私達は電子工学の等級を提供してもいく、IRの等級GEのウエファーは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する
単結晶のゲルマニウムのウエファーの機能
SWIは電子工学の両方等級を提供でき、IRの等級GEのウエファーおよびGEのインゴットは、より多くのGEの製品に関する情報のための私達に連絡する。
伝導性 | 添加物 | 抵抗 (オームcm) |
ウエファーのサイズ |
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NA | Undoped | >= 30 | 4インチまで |
Nのタイプ | Sb | 0.001 | 30 | 4インチまで |
Pのタイプ | Ga | 0.001 | 30 | 4インチまで |
適用:
半導体デバイス、マイクロエレクトロニクス、センサー、太陽電池、IRの光学。
GEのウエファーの特性
化学式 | GE |
結晶構造 | 立方 |
格子変数 | a=0.565754 |
密度(g/cm3) | 5.323 |
熱伝導性 | 59.9 |
融点(°C) | 937.4 |
製品仕様書
成長 | Czochralski |
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直径 | Øの2"/Ø 3"/Ø 4" |
厚さ | 500 um | 625 um |
オリエンテーション | <100> / <111> / <110> または他 |
伝導性 | P - タイプ/N -タイプ |
添加物 | ガリウム/アンチモン/Undoped |
抵抗 | 0.001 | 30オームcm |
表面 | SSP/DSP |
TTV | <> |
弓/ゆがみ | <> |
等級 | 電子工学の等級 |
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196