|
商品の詳細:
|
| 適用: | 力装置、LED、センサーおよび探知器 | 直径: | Øの1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6" |
|---|---|---|---|
| 厚さ: | 330 um | 350 um | 等級: | 生産の等級/研究の等級 |
| ハイライト: | 350um ZnOのウエファー,CDのCdSe ZnOのウエファー,350um ZnTeのウエファー |
||
ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー
私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOのウエファー（酸化亜鉛）にGaN、それに2%の格子不適当な組み合わせがである大いにサファイアのウエファーおよびSiCのウエファーの格子不適当な組み合わせよりより少しある。ZnOのウエファーはGaNのエピタキシアル成長および広いバンド ギャップの半導体の塗布として使用のための最も適した基質の1つである。ZnOのウエファーは、サイズで10 x 10 x 0.5 mm undoped供給される、正方形の形二重側面は表面の終わりを磨き、方向づけられて、ZnOの私達の良質のウエファーはずっと成長のために広く利用されているの
窒化物の基盤装置。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
ZnOのウエファーの塗布
| GaNのエピタキシアル成長 | 紫外線探知器 |
| 力装置 | 発光装置 |
| 光起電 | センサー |
ZnOのウエファーの特性
| 化学式 | ZnO |
| 結晶構造 | 六角形 |
| 一定したに格子をつけなさい | 3.3 A |
| 平面のGaNの格子 <0001> 不適当な組み合わせ | 9 |
| 熱伝導性 | 0.006 cal/cm /K |
| R.i. | 2.0681 / 2.0510 |
| 識別された磨かれた表面 | Zn -表面/O -表面 |
製品仕様書
| 成長 | 熱水 |
|---|---|
| ZnOの大きさ/ブロック | 26.5 x 26.5 x 10のmm |
| ZnOのウエファー | 10 x 10 x 0.5 mm |
| オリエンテーション | Znの表面 <0001> /O表面 <000-1> |
| 抵抗 | 500 - 1000オームcm |
| 表面 | 磨かれた双方 |
| 荒さ | RA <> |
| パッケージ | Membrance箱 |
コンタクトパーソン: Daniel
電話番号: 18003718225
ファックス: 86-0371-6572-0196
