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高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

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高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性
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大画像 :  高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: ZG
証明: CE
モデル番号: MS
お支払配送条件:
最小注文数量: 1個
価格: 10USD/PC
パッケージの詳細: グローバル配送用の強力な木製の箱
受渡し時間: 5～8営業日
支払条件: L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力: 1000個
連絡先

高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性

説明
ハイライト:

高熱伝導性シリコンカーバイドプレート

,

優れた耐浸食性SiCプレート

,

低熱膨張性シリコンカーバイドセラミックプレート

炭化ケイ素（SiC）プレート
炭化ケイ素（SiC）は、ダイヤモンドと多くの特性を共有しており、最も軽量、硬く、強力な技術セラミック材料の1つです。優れた熱伝導性、耐酸性、および低い熱膨張性を備えています。炭化ケイ素は、その優れた浸食および耐摩耗性により、物理的な摩耗が重要な考慮事項となる場合に最適な材料です。
  • 無加圧焼結炭化ケイ素セラミックス
  • 優れた浸食性と耐摩耗性
  • ノズル、サンドブラストノズル、サイクロンセパレーター部品に適しています
機械的特性
特性 単位 炭化ケイ素
密度 g/cm³ 3.15
ビッカース硬度 Hv0.5 2650
曲げ強度 MPa 450
圧縮強度 MPa 2650
弾性率 GPa 430
破壊靭性 MPa*m²/² 4
ポアソン比 0.14
ヤング率 GPa 430
炭化ケイ素原料純度 % 99
熱的特性
特性 単位 炭化ケイ素
25℃での熱伝導率 W/mK 110
融点 ℃ 2800
比熱 J/g*K 0.8
線膨張係数 10⁻⁶/K 4
電気的特性
特性 単位 炭化ケイ素
誘電率 1MHz 10
絶縁破壊電圧 V/cm 1×10⁶
誘電損失 1MHz 0.001
抵抗率 Ω*cm 10²-10⁶
高熱伝導性シリコンカービッドプレート 絶妙な侵食耐性と低熱膨張性 0

タグ:

99% SICの陶磁器シリンダー,

半導体の企業の炭化ケイ素シリンダー,

SiCの硫酸の噴霧器のノズル

連絡先の詳細
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

コンタクトパーソン: Daniel

電話番号: 18003718225

ファックス: 86-0371-6572-0196

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)

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